无锡海力士厂房爆炸 存储器要涨价

   韩国DRAM大厂海力士(Hynix)位于江苏无锡DRAM厂昨天发生爆炸,由于火势猛烈、浓烟漫布,估计受创严重,牵动DRAM供应。全球DRAM大厂 三星、美光及南科等相继暂停报价,并停止接单。

     业者指出,海力士无锡厂每月晶圆投片量高达15万片,占全球DRAM供应高达15%,虽然目前还无得知受损情况,但从初步讯息,至少有一个厂烧毁,且生产线全面中断,DRAM短期供应短缺,甚至造成DRAM现货价立即飙升。

     由于稍早也有传出海力士也有将部分产能转作储存型快闪存储器NAND Flash,因此如果爆炸失火也波及NAND Flash ,也将推升NAND Flash价格翻扬。

     从网站传出的时间推算,爆炸时间约在下午4时30分,现场浓烟冲天,警消也到场抢救,但一时仍无法控制,目前还不清楚伤亡人数,以及受灾情况。更传出现场有不明气体外泄,厂区人员疏散,但并未获得大陆官方证实,海力士也未针对爆炸原因和受损情况提出说明。

     三星代理商至上昨天表示,消息发生后接到三星指示暂停报价。南科总经理高启全昨天表示,他是下午近5时接获通报,得知此消息,他表示,“同为DRAM供应链,这是很不幸的事。”

电子元件未来7年销售额预测分析

       到2020年,可再生能源、轨道交通、变频器和工业电力等快速增长行业市场将推动电力电子分立器件销售额达到150亿美元。随着硅基电力电子器件的性能愈来愈接近其理论极限值,SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场,预计到2020年,SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
  
  LuxResearch预测,到2020年,基于SiC或GaN的电力电子元器件将占据22%市场份额,销售额达到33亿美元。
  
  SiC器件因为成熟度和可靠性更佳,发展脚步将领先GaN。目前GaN功率器件的领先供应商为:EPC(宜普)、Transphorm和IR。
  
  SiC功率器件增长动力主要来自可再生能源领域,在太阳能市场占有率将达32%。在轨道交通领域,SiC和GaN的应用相当,预计到2020年,两者市场份额分别为16%和15%。在IT和电子设备市场,GaN较SiC更有优势,估计2020年市场份额可达14%。在建筑物市场,GaN器件前景光明,估计将有24亿美元市场。
  
  在过去5年中,投资者在SiC和GaN器件上的投资已超过2亿美元,Transphorm、EpiGaN、GaNSystems和Azzurro公司已经完成好几轮募资;飞兆收购TranSiC,英飞凌收购SiCed,ROHM收购SiCrystal,韩国SKC收购Crysband。

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